光刻工艺设备产品概述：
应用于3D封装、LED、微机电系统、化合物半导体、功率器件等领域
主要配置：自动对准、自动曝光、LED光源、机器视觉对准系统、高精度硅片承载台、自动楔形误差补偿系统
LED 光源：3波长任意配置，支持更多应用场景
高分辨率、高均匀性；使用寿命长，维护简便：
机器视觉对准系统：顶部和底部双模式对准，大视野、高精度；4种照明光可选，工艺适应性强； 手动、自动模式自由切换

硅片尺寸

8"/ 6"

硅片厚度

max.10 mm

掩模版尺寸

9" ×9"/ 7" ×7" (SEMI)

掩模版厚度

max.6.35 mm

曝光模式

接触方式

软接触、硬接触、真空接触

曝光间隙

0~1000 μm

间隙精度

1 μm

曝光强度

0 ~ ≥40mw/cm 2

曝光镜头

光源类型

LED

曝光波长

365nm，405nm，

光强均匀性

≤4% 8" / ≤3% 6"

分辨率

真空接触≤1um

硬接触 ≤1.5μm

软接触≤2.2μm

间隙 ≤3.6μm

对 准 模 式

顶部对准

< ±1 μm

可选配底部对准

< ±2 μm

顶部对准调焦范围

5 mm

底部对准调焦范围

5 mm

硅 片 承 载 台

运动范围

X：±5mmY：±5mmθ :   ±5°

分辨率

0.04 μm

顶 部 对 准 镜 头

移动范围

6" 40~150mm

8" 40~200 mm

底部对准镜头

移动范围

6" 40~150mm

8" 40~200 mm

用 户 界 面

Windows 10

可存储工艺菜单

场务需求

真空< -0.8 kPa ; 氮气> 0.5 Mpa ; 压缩空气: 0.6~0.8 Mpa

供 电 需 求

电压: 230 V  ± 10%

频率: 50~60 Hz

尺 寸 重 量

长 ×宽 ×: 1200  × 1000 mm

高: 1973 mm重量 : ~ 400 kg